Что происходит с барьерной емкостью при увеличении приложенного обратного напряжения

Барьерная емкость – это электрический параметр полупроводникового диода, который определяет его способность пропускать электрический ток. Она возникает на границе перехода между полупроводниками разных типов с различным уровнем проводимости.

При увеличении приложенного обратного напряжения на диод происходит ряд изменений, связанных с барьерной емкостью.

Во-первых, увеличение обратного напряжения приводит к уменьшению барьерной емкости. Это происходит потому, что при большом напряжении электроны образуют волну, которая отталкивает барьерную зону, уменьшая её размеры. Таким образом, барьерная емкость уменьшается.

Во-вторых, при дальнейшем увеличении обратного напряжения наступает так называемый пробой диода. Это происходит, когда напряжение достигает определенного значения, после чего происходит резкий скачок тока через диод. В этот момент барьерная емкость исчезает, и диод начинает работать как проводник.

В-третьих, при увеличении обратного напряжения увеличивается время заряда и разряда барьерной емкости. Это связано с тем, что барьерная емкость является емкостью хранения заряда, и при изменении напряжения на диоде происходит зарядка и разрядка емкости.

Таким образом, при увеличении приложенного обратного напряжения на полупроводниковый диод происходят изменения, связанные с барьерной емкостью. Она уменьшается, исчезает при пробое диода, а также увеличивается время заряда и разряда. Понимание этих процессов важно для правильной работы электронных устройств.